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Company News
Industry News
Technical Article
碳化硅，从材料到模块
碳化硅功率器件的制备，经历了从材料生长（衬底材料）—>材料外延—>半导体器件设计/流片/晶圆加工—>封装（分立，模...
如何运用GaN才能做到最优性价比
随着科技的发展，人们生活水平的提高，人类生活对于能源电力的需求越来越大。从而对电源转换效率、电源体积、电...
碳化硅在光伏中的应用
商业化的增强型氮化镓驱动IC举例
氮化镓驱动 厂商 单管 / 半桥 上拉/下拉电流 VDD供电电压 门极驱动电压 上拉 / 下拉电阻 传输延时 ...
芯干线氮化镓功率器件直接驱动
以下为芯干线氮化镓功率器件直接驱动方案，供设计参考：
为何没有P型 GaN HEMT?
硅有NMOS和PMOS两种器件：NMOS中，载流子为电子，PMOS载流子为空穴 然而目前还没有商业化的P型GaN HEMT 首先，镁...
高dv/dt造成的误开通
高dv/dt会给寄生电容充电 在此期间：CDS 、CGD 以及CGS 都被充电 如果CGS充电后的电压高过阈值电压，器件可能...
氮化镓功率器件I-V曲线高低温特性
共源极电感(CSI)及di/dt问题: 仿真分析
功率器件可靠性澡盆曲线
氮化镓单片集成vs.共封集成
尽管氮化镓驱动单片集成能最大化减少寄生参数，硅IC+GaN共封装的方式却能实现更全面的驱动及控制功能。然而硅...
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