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Company News
Industry News
Technical Article
碳化硅，从材料到模块
碳化硅功率器件的制备，经历了从材料生长（衬底材料）—>材料外延—>半导体器件设计/流片/晶圆加工—>封装（分立，模...
如何运用GaN才能做到最优性价比
随着科技的发展，人们生活水平的提高，人类生活对于能源电力的需求越来越大。从而对电源转换效率、电源体积、电...
碳化硅在光伏中的应用
商业化的增强型氮化镓驱动IC举例
氮化镓驱动 厂商 单管 / 半桥 上拉/下拉电流 VDD供电电压 门极驱动电压 上拉 / 下拉电阻 传输延时 ...
芯干线氮化镓功率器件直接驱动
以下为芯干线氮化镓功率器件直接驱动方案，供设计参考：
氮化镓外延片工艺流程
氮化镓外延片的衬底材料可以是硅、碳化硅或者是蓝宝石。外延层通常采用MOCVD的方式实现低成本、高产出率
GaN LLC LTSPICE 仿真
数字隔离技术比较
氮化镓功率器件损耗分类
GaN单片集成前级驱动
氮化镓前级驱动（Pre-driver占用不到5%的面积）与一个门极宽度为120mm的E-mode氮化镓器件实现单片集成。 好处： ...
GaN单片集成逻辑门电路
2018年，EPFL的研究人员使用氮化镓D-mode + E-mode单片集成来实现简单的逻辑门电路 商业上氮化镓数字电路的...
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