告别高损耗|芯干线 700V GaN HEMT 破解开关电源损耗与频率瓶颈

2026年08月03日

还在为开关电源损耗大、工作频率难以提升发愁?

大功率快充、服务器电源、5G 供电设备持续向高频、小型化发展,传统硅 MOS 管受反向恢复效应制约,高频工况效率大打折扣。

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芯干线科技推出的

X3G6515B8

700V E-mode GaN HEMT

以第三代宽禁带半导体技术优势

破解电源损耗与频率难题

提供全新解决方案

 

 

 

 

 

 

 

 

 

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一、产品核心定位
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芯干线 X3G6515B8,是一款700耐压、13A额定电流的硅基 p-GaN 增强型(常关型)独立氮化镓功率器件。搭载自研专利双栅极引脚结构,面向中高压高频开关电源市场,兼顾硬开关、软开关拓扑应用,依零反向恢复电荷、低开关损耗特性,解决硅基 MOS 高频损耗难题;独特双栅设计优化驱动环路,降低 PCB 布局难度,是大功率快充、服务器、5G 通信电源的优选宽禁带功率器件。

 

 

 

 

 

 

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二、核心电气参数
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三、硬核性能亮点
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零 Qrr 无反向恢复损耗

采用 p-GaN 增强型 GaN-on-silicon 工艺,不存在反向恢复电荷,彻    底规避硅 MOS 的反向恢复损耗,支持超高频率硬开关、软开关运行,     显著提升整机效率。

 

专利双栅极引脚架构

区别常规单栅 GaN 器件,双栅引脚设计优化动态开关性能;同时给予      PCB 布局更高自由度,便于缩小驱动环路面积,抑制高频振荡,提升       系统稳定性。

 

优异动态耐受能力

可耐受 150V/ns 超高 dv/dt,抗电压冲击能力强;器件开启损耗低,适合高频密集开关工况。

 

先进封装,可靠性突出

DFN8×8 标准封装,优化内部封装结构实现低热阻;工规级设计,最高结温 150℃,高低温工况稳定可靠,适配严苛工业环境。

 

常关增强型器件

上电默认关断,无需额外负压供电,驱动方案简单,降低外围电路设计成本。

 

 

 

 

 

 

 

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四、应用领域
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✅ 大功率 PD 快充、多端口快充适配器

 

✅ PC 服务器开关电源

 

✅ 5G 通信设备供电电源

 

✅ 半桥架构、LLC、图腾柱 PFC 等高频拓扑电源

 

适用于一切追求高频化、小型化、高效率的中高压电源方案,帮助整机减小变压器、电解电容体积,实现电源轻量化设计。

 

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五、封装与可靠性
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封装:

·采用 DFN8×8 标准贴片封装,底部大面积散热焊盘,寄生参数低,适配高频设计,兼容量产 SMT 工艺。

 

·搭载专利双栅极引脚,方便优化栅极驱动走线,抑制高频振荡,PCB 布局更加灵活。封装内部优化导热路径,具备低热阻优势。

 

可靠性:

·工规级器件,最高结温 150℃,宽温环境稳定工作。

 

·栅极电压范围 - 15V~7V,驱动容错空间大;可耐受 150V/ns 高 dv/dt,抗瞬态冲击。

 

·零 Qrr 特性消除反向恢复应力,支持长期高频硬 / 软开关运行,工作应力更低,整机耐久度更佳。

 

 

 

 

 

 

 

 

 

芯干线 X3G6515B8 

将零损耗 GaN 特性与创新双栅极结构结合

解决高频电源 “损耗高、布局难” 两大痛点

完美适配高压电力电子系统升级需求

 

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芯干线-氮化镓及碳化硅功率器件领跑者

芯干线,是费米电气(舟山)有限公司旗下专注于第三代半导体功率器件及模块的研发、销售和应用技术服务的品牌。由功率半导体资深海归博士、电源行业市场精英和一群有创业梦想的年轻专业人士所创建。

 

芯干线自成立以来,深耕于功率半导体GaN HEMT、SiC MOS & SBD、Si MOS & IGBT、IGBT 和 SiC Module等功率器件及模块的研发、销售和应用技术服务;通过了ISO9001生产质量管理体系认证、2024年通过了IATF16949汽车级零部件生产质量管理体系认证,获评国家级高新技术企业品牌、斩获 ASpencore 中国IC设计成就奖等奖项,2025 年再获江苏省潜在独角兽、江苏省创新品牌等殊荣。产品被广泛应用于海洋电子、移动出行、电动工具、低空飞行、消费电子、Ai算力等能源电力转换与应用领域。

芯干线总部位于浙江舟山,分公司遍布南京、深圳、苏州、盐城等国内多地,并延伸至北美与台湾地区,业务版图不断拓展中。

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